[发明专利]一种轴向与基底平行的圆形微同轴金属结构的制备方法

摘要

本发明提供了一种轴向与基底平行的圆形微同轴金属结构的制备方法，首先在基底上表面涂覆释放层，得到涂覆有释放层的基底；在释放层表面制备纵向圆形微同轴金属结构，得到轴向与基底垂直的圆形微同轴金属结构；将释放层去除，使圆形微同轴金属结构与基底分离，将圆形微同轴金属结构横向与基底键合，得到轴向与基底平行的圆形微同轴金属结构。本发明提供的制备方法解决了现有微米级同轴结构制备中横向圆柱结构难以实现的问题，避免了目前三维结构多层工艺连续加工中面临的中心对准困难及侧壁粗糙度大等问题，制备得到的轴向与基底平行的圆形微同轴金属结构作为微器件的连接器件，有利于提高微器件的集成度。

主权项

一种轴向与基底平行的圆形微同轴金属结构的制备方法，包括以下步骤：在基底上表面涂覆释放层；在所述释放层表面制备纵向圆形微同轴金属结构，得到轴向与基底垂直的圆形微同轴金属结构；去除所述轴向与基底垂直的圆形微同轴金属结构中的释放层，使圆形微同轴金属结构与基底分离，圆形微同轴金属结构再横向与基底键合，得到轴向与基底平行的圆形微同轴金属结构；所述纵向圆形微同轴金属结构包括实心圆柱形内导体、套设在所述实心圆柱形内导体外的圆环柱形外导体和设置在内外导体间的支撑体；所述支撑体的材质为聚四氟乙烯；所述圆环柱形外导体的外圆环上有沿圆柱高度方向的矩形截面；所述实心圆柱形内导体直径为40～80μm；所述圆环柱形外导体的内径为120～200μm；所述圆环柱形外导体的厚度为8～12μm；所述支撑体的厚度为20～60μm；所述矩形截面的宽度大于实心圆柱形内导体直径且小于圆环柱形外导体的内圆环直径。