[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201611176599.X | 申请日： | 2016-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN108206215B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 赵海 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构及其形成方法，其中，形成方法包括：提供衬底，所述衬底上具有鳍部；在衬底上形成隔离结构，隔离结构覆盖所述鳍部部分侧壁，且隔离结构表面低于所述鳍部顶部表面；在隔离结构上形成隔离层，隔离层覆盖所述鳍部部分侧壁，且所述隔离层表面低于鳍部顶部表面，隔离层的介电常数小于所述隔离结构的介电常数。其中，在保证鳍部与其他结构之间具有良好的绝缘性的条件下，所述隔离结构的厚度可以较小，从而使所半导体结构对所述隔离结构的绝缘性要求较低，从对所述隔离结构的形成工艺的要求较低，使形成所述隔离结构的温度可以较低，因此，在形成所述隔离结构的过程中，所述隔离结构的变形较小，进而改善半导体结构性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有鳍部；在所述衬底上形成隔离结构，所述隔离结构覆盖所述鳍部部分侧壁，且所述隔离结构表面低于所述鳍部顶部表面；在所述隔离结构上形成隔离层，所述隔离层覆盖所述鳍部部分侧壁，且所述隔离层表面低于所述鳍部顶部表面，所述隔离层的介电常数小于所述隔离结构的介电常数。
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