[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置有效
| 申请号： | 201611178075.4 | 申请日： | 2016-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN108206216B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 邱慈云;陈玉华;江宇雷;蔡建祥 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极，在所述栅极上形成有硬掩膜层；形成间隙壁，以覆盖所述硬掩膜层的顶面以及所述硬掩膜层和所述栅极的侧壁；在所述间隙壁的表面上形成金属硅化物层。本发明的制造方法具有以下优点：1)由于提供了新的间隙壁轮廓，该轮廓有利于金属硅化物层的形成，因此形成的金属硅化物层具有更好的质量；2)由于无需使用硅化物阻挡层(包括硅化物阻挡层沉积和刻蚀的过程)，故降低了生产成本和生产周期时间；3)由于形成的金属硅化物层和栅极之间具有更厚的介电层，可以降低金属硅化物层和栅极之间的串扰，提高器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有栅极，在所述栅极上形成有硬掩膜层；形成间隙壁，以覆盖所述硬掩膜层的顶面以及所述硬掩膜层和所述栅极的侧壁；在所述间隙壁的表面上形成金属硅化物层。
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