[发明专利]半导体结构和相关制造方法有效
| 申请号： | 201611180557.3 | 申请日： | 2016-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN107046061B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 郑志昌;朱馥钰;柳瑞兴;陈光鑫;柯志欣;黄士芬 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例公开了一种半导体结构。半导体结构包括：衬底；在衬底上方形成的栅极结构；在栅极结构的任一侧上在衬底中形成的源极区和漏极区，源极区和漏极区均具有第一导电类型；以及在栅极结构和漏极区之间的衬底上方形成的场板；其中场板连接到衬底的源极区或块状电极。本发明的实施例还公开了用于制造半导体结构的相关方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 相关 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体结构，包括：衬底；栅极结构，形成在所述衬底上方；源极区和漏极区，在所述栅极结构的任一侧形成在所述衬底中，所述源极区和所述漏极区均具有第一导电类型；以及场板，在所述栅极结构和所述漏极区之间形成在所述衬底上方；其中，所述场板连接到所述衬底的所述源极区或块状电极。
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