[发明专利]黑膜的制作方法、黑膜以及发光器件有效
申请号: | 201611180633.0 | 申请日: | 2016-12-19 |
公开(公告)号: | CN106654060B | 公开(公告)日: | 2018-12-28 |
发明(设计)人: | 田庆海 | 申请(专利权)人: | 纳晶科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L51/56 | 分类号: | H01L51/56;H01L51/52 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 赵囡囡;吴贵明 |
地址: | 310052 浙江省杭州市滨*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本申请提供了一种黑膜的制作方法、黑膜以及发光器件。该制作方法包括:步骤S1,采用黑色光刻胶制作第一个黑膜层;步骤S2,在第一个黑膜层的一个表面上依次制作第二个至第N个黑膜层,且使得第一个黑膜层的覆盖区域与设置在第一个黑膜层上的各个黑膜层的覆盖区域一一对应,第一个黑膜层与设置在第一个黑膜层上的N‑1个黑膜层形成黑膜,且N≥2;步骤S3,采用等离子体刻蚀法对黑膜的表面形貌进行处理,使得黑膜的表面平整。该制作方法能够制作得到较厚的黑膜,且黑膜的表面形貌较好,表面较平整。 | ||
搜索关键词: | 制作方法 以及 发光 器件 | ||
【主权项】:
1.一种黑膜的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:步骤S1,采用黑色光刻胶制作第一个黑膜层;步骤S2,在所述第一个黑膜层的一个表面上依次制作第二个至第N个黑膜层,且使得所述第一个黑膜层的覆盖区域与设置在所述第一个黑膜层上的各个黑膜层的覆盖区域一一对应,所述第一个黑膜层与设置在所述第一个黑膜层上的N‑1个黑膜层形成黑膜,且N≥2,当N=2时,在所述第一个黑膜层的一个表面上仅制作第二个黑膜层;以及步骤S3,采用等离子体刻蚀法对所述黑膜的表面形貌进行处理,使得所述黑膜的表面平整,所述步骤S3包括:步骤S31,采用等离子体刻蚀法去除所述黑膜表面的凸起;以及步骤S32,采用等离子体刻蚀法去除所述黑膜表面的凹陷,所述步骤S32中,采用第二气体进行所述等离子体刻蚀法,所述第二气体包括第二轰击气体、第二腐蚀气体和分散气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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