[发明专利]OLED封装方法与OLED封装结构

摘要

本发明提供一种OLED封装方法与OLED封装结构。本发明的OLED封装方法，通过在OLED的封装结构中同时设置硅掺杂类金刚石层与类金刚石散射层，利用硅掺杂类金刚石层起到阻隔外界水氧的效果，利用类金刚石散射层起到提高光线透过率的效果，不仅能够大幅提高OLED器件的使用寿命，而且能够保证OLED器件具有较高的光线输出效率。本发明的OLED封装结构，通过同时设置硅掺杂类金刚石层与类金刚石散射层，利用硅掺杂类金刚石层起到阻隔外界水氧的效果，利用类金刚石散射层起到提高光线透过率的效果，不仅能够大幅提高OLED器件的使用寿命，而且能够保证OLED器件具有较高的光线输出效率。

主权项

1.一种OLED封装方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一OLED器件(10)，在所述OLED器件(10)上形成第一阻隔层(20)，所述第一阻隔层(20)整面覆盖所述OLED器件(10)；步骤2、在所述第一阻隔层(20)上形成第一硅掺杂类金刚石层(30)，所述第一硅掺杂类金刚石层(30)整面覆盖所述第一阻隔层(20)；步骤3、在所述第一硅掺杂类金刚石层(30)上形成类金刚石散射层(40)；步骤4、在所述第一硅掺杂类金刚石层(30)及类金刚石散射层(40)上形成第一有机缓冲层(50)，所述第一有机缓冲层(50)整面覆盖所述第一硅掺杂类金刚石层(30)及类金刚石散射层(40)；步骤5、在所述第一有机缓冲层(50)上形成第二阻隔层(60)，所述第二阻隔层(60)整面覆盖所述第一有机缓冲层(50)；所述步骤3中，采用脉冲激光沉积、溅射、或者等离子体增强化学气相沉积的方式形成类金刚石散射层(40)；所述类金刚石散射层(40)的材料为未掺杂的类金刚石；所述类金刚石散射层(40)包括间隔设置的多个条形类金刚石膜层(41)，或者包括呈阵列排布的多个圆形类金刚石膜层(42)；所述类金刚石散射层(40)的厚度为10nm‑1μm。