[发明专利]一种低直流漂移的铌酸锂薄膜强度调制器在审
| 申请号： | 201611181127.3 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN107966832A | 公开（公告）日： | 2018-04-27 |
| 发明（设计）人： | 李萍;范宝泉 | 申请（专利权）人： | 天津领芯科技发展有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/035 | 分类号： | G02F1/035 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司12107 | 代理人： | 张义 |
| 地址： | 300000 天津市北辰区北辰经济*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低直流漂移的铌酸锂薄膜强度调制器，包括基底晶片、铌酸锂薄膜、光学波导、调制电极、信号电极、地电极、直流偏压电极，所述基底晶片采用具有低介电常数的材料；所述铌酸锂薄膜为单晶结构、X切Y传晶向的光学级铌酸锂单晶薄膜；所述光学波导为钛扩散波导或退火质子交换波导；所述调制电极为推挽型行波式电极结构，所述直流偏压电极为推挽型集总式电极结构。本发明的有益效果为，通过采用基于低介电常数材料基底晶片的铌酸锂薄膜结构，可去除二氧化硅缓冲层，实现铌酸锂强度调制器直流漂移现象的大幅抑制，显著提升铌酸锂强度调制器的长期工作性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直流 漂移 铌酸锂 薄膜 强度 调制器 | ||
【主权项】：
一种低直流漂移的铌酸锂薄膜强度调制器，包括：基底晶片(5)、铌酸锂薄膜(6)、光学波导(2)、调制电极(4)、直流偏压电极(7)，所述基底晶片(5)为石英晶片；所述铌酸锂薄膜(6)具有单晶结构，晶体切向为X切Y传；所述光学波导(2)为钛扩散波导或退火质子交换波导；所述调制电极(4)为推挽型行波式电极结构；所述直流偏压电极(7)为推挽型集总式电极结构。
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