[发明专利]DDRxSDRAM存储器刷新方法及存储器控制器在审
| 申请号： | 201611183102.7 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106601286A | 公开（公告）日： | 2017-04-26 |
| 发明（设计）人： | 熊明霞;杨万云;周士兵;彭鹏;马翼;田达海 | 申请（专利权）人： | 湖南国科微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406 |
| 代理公司： | 长沙正奇专利事务所有限责任公司43113 | 代理人： | 卢宏 |
| 地址： | 410131 湖南省*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供一种DDRx SDRAM存储器刷新方法，包括(a)若命令状态机处于忙碌状态时收到刷新请求，且N＜M，则命令状态机拒绝刷新请求且拉高第一标志位，并且N加1，其中N为第一计数器的值，M为[4,8]内的任一整数；(b)若N＝M，则拉高第二标志位，第一计数器向命令状态机发送紧急刷新请求；命令状态机响应刷新请求，并向DDRx SDRAM存储器连续发送M个刷新命令。本发明还提供一种DDRx SDRAM存储器控制器。本发明取消了每7.8us必须发送一次刷新命令的常规固定做法；从而保证在SDRAM耐受范围内，正常数据读写操作的命令优先级高于刷新命令的发送，在最大限度内缓解了刷新命令对正常读写命令效率的破坏。 | ||
| 搜索关键词： | ddrxsdram 存储器 刷新 方法 控制器 | ||
【主权项】：
一种DDRx SDRAM存储器刷新方法，其特征在于：所述DDRx SDRAM存储器刷新方法包括：(a)若命令状态机(11)处于忙碌状态时收到刷新请求，且N＜M，则命令状态机(11)拒绝刷新请求且拉高第一标志位(14)，并且N加1，其中N为第一计数器(13)的值，M为[4,8]内的任一整数；(b)若N＝M，则进行如下步骤：(b1)拉高第二标志位(15)，第一计数器(13)向命令状态机(11)发送紧急刷新请求；(b2)命令状态机(11)响应紧急刷新请求，并向DDRx SDRAM存储器(3)连续发送M个刷新命令；(b3)命令状态机(11)拉低第一标志位(14)和第二标志位(15)，并且命令状态机(11)对第一计数器(13)进行清零，且命令状态机(11)回到响应紧急刷新请求之前的状态。
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