[发明专利]吡啶并噻吩基吡咯并吡咯二酮及其聚合物有效
| 申请号： | 201611183130.9 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106632410B | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | 于贵;高冬;陈智慧;张卫锋 | 申请（专利权）人： | 中国科学院化学研究所 |
| 主分类号： | C07D519/00 | 分类号： | C07D519/00;C08G61/12;H01L51/05;H01L51/30 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100080 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种吡啶并噻吩基吡咯并吡咯二酮聚合物。该吡啶并噻吩基吡咯并吡咯二酮聚合物的结构如式Ⅰ所示。以本发明吡啶并噻吩基吡咯并吡咯二酮为有机半导体层制备的有机场效应晶体管的空穴迁移率为1.31×10‑3cm2V‑1s‑1，开关比大于103‑104；在有机场效应晶体管器件中有非常高的的应用前景。 |
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| 搜索关键词： | 吡啶 噻吩 吡咯 及其 聚合物 | ||
【主权项】：
1.式I所示聚合物，![]()
所述式I中，Ar为如下基团的任意一种：![]()
所述Ar基团中，Z为S；R2为H；![]()
均表示取代位；R1为2‑癸基十四烷基、4‑癸基十四烷基或5‑癸基十五烷基；n为5‑100；所述![]()
为如下基团中的任意一种：![]()
![]()
均表示取代位。
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