[发明专利]一种用于铁电存储器的铁电薄膜电容及其制造方法在审
| 申请号： | 201611184316.6 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106783174A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 钟旻 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01G7/06 | 分类号： | H01G7/06 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,张磊 |
| 地址： | 201210 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于铁电存储器的铁电薄膜电容及其制造方法，通过在电极层和铁电薄膜层之间加入缓冲层，能有效降低铁电存储器单元的操作电压，并且采用的缓冲层材料的介电常数越小，其分压能力就越强，铁电存储器单元的操作电压降低就越显著；另一方面，在电极层和铁电薄膜层之间还采用例如石墨烯作为散热层，利用石墨烯优异的散热性能，能有效降低器件由于铁电薄膜介电常数较高导致的器件发热和散热性差的问题，从而避免了高密度铁电存储器可能产生的散热问题，有利于提高铁电存储器器件性能以及器件稳定性和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 存储器 薄膜 电容 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于铁电存储器的铁电薄膜电容，其特征在于，自下而上包括：下电极层、铁电薄膜层和上电极层；其中，铁电薄膜层与上、下电极层至少其中之一的之间叠设有缓冲层和散热层。
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