[发明专利]用于套筒天线的GaAs/Ge/GaAs异质结构SPiN二极管串的制备方法在审
| 申请号： | 201611184732.6 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106847904A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 左瑜;张亮 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66;H01L21/04;H01Q23/00;H01Q1/38 |
| 代理公司： | 西安智萃知识产权代理有限公司61221 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于套筒天线的GaAs/Ge/GaAs异质结构SPiN二极管串的制备方法。该制备方法包括(a)选取GeOI衬底；(b)刻蚀所述GeOI衬底的顶层Ge层以在所述顶层Ge层内形成第一沟槽和第二沟槽；(c)在所述第一沟槽和所述第二沟槽内淀积GaAs材料；(d)利用离子注入工艺对所述第一沟槽内的GaAs材料进行P型离子注入形成P型有源区，对所述第二沟槽内的GaAs材料进行N型离子注入形成N型有源区；(e)在所述P型有源区和所述N型有源区表面形成引线孔并溅射金属形成所述GaAs/Ge/GaAs异质结构的SPiN二极管。本发明实施例利用深槽隔离技术及离子注入工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能Ge基SPiN二极管串。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 套筒 天线 gaas ge 结构 spin 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种用于套筒天线的GaAs/Ge/GaAs异质结构SPiN二极管串的制备方法，其特征在于，所述等离子SPiN二极管串用于制作套筒天线，所述套筒天线包括：半导体基片(1)、SPiN二极管天线臂(2)、第一SPiN二极管套筒(3)、第二SPiN二极管套筒(4)、同轴馈线(5)、直流偏置线(9、10、11、12、13、14、15、16、17、18、19)；所述制备方法包括步骤：(a)选取GeOI衬底；(b)在所述GeOI衬底表面淀积第一保护层；(c)采用第一掩膜版，利用干法刻蚀工艺刻蚀所述第一保护层及所述GeOI衬底以在所述GeOI衬底内形成隔离沟槽；(d)利用CVD工艺在所述隔离沟槽内填充隔离材料；(e)利用CMP工艺去除所述第一保护层及所述隔离沟槽外的所述隔离材料形成所述GaAs/Ge/GaAs异质结构的SPiN二极管的隔离区。(f)刻蚀所述GeOI衬底的顶层Ge层以在所述顶层Ge层内形成第一沟槽和第二沟槽；(g)在所述第一沟槽和所述第二沟槽内淀积GaAs材料；(h)利用离子注入工艺对所述第一沟槽内的GaAs材料进行P型离子注入形成P型有源区，对所述第二沟槽内的GaAs材料进行N型离子注入形成N型有源区；(i)在所述P型有源区和所述N型有源区表面形成引线孔并溅射金属形成所述GaAs/Ge/GaAs异质结构SPiN二极管串。
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