[发明专利]用于制备全息天线的台状有源区固态等离子二极管制造方法在审
| 申请号： | 201611184779.2 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN107046163A | 公开（公告）日： | 2017-08-15 |
| 发明（设计）人： | 尹晓雪;张亮 | 申请（专利权）人： | 西安科锐盛创新科技有限公司 |
| 主分类号： | H01Q1/22 | 分类号： | H01Q1/22;H01Q1/36;H01L21/329;H01L29/868 |
| 代理公司： | 西安智萃知识产权代理有限公司61221 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市高新区高新路86号*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于制备全息天线的台状有源区固态等离子二极管制造方法。该制造方法包括(a)选取SOI衬底；(b)刻蚀SOI衬底形成台状有源区；(c)对所述台状有源区四周利用原位掺杂工艺分别淀积P型Si材料和N型Si材料形成P区和N区；(d)在所述台状有源区四周淀积多晶Si材料；(e)在所述多晶Si材料表面制作引线并光刻PAD以形成所述固态等离子二极管。本发明实施例利用原位掺杂工艺能够制备并提供适用于形成全息天线的高性能台状有源区的固态等离子二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制备 全息 天线 有源 固态 等离子 二极管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制备全息天线的台状有源区固态等离子二极管制造方法，其特征在于，所述固态等离子二极管用于制作全息天线，所述全息天线包括：半导体基片(11)、天线模块(13)、第一全息圆环(15)及第二全息圆环(17)；所述天线模块(13)、所述第一全息圆环(15)及所述第二全息圆环(17)均采用半导体工艺制作于所述半导体基片(11)上；其中，所述天线模块(13)、所述第一全息圆环(15)及所述第二全息圆环(17)均包括依次串接的固态等离子二极管串。所述制造方法包括步骤：(a)选取SOI衬底；(b)利用CVD工艺，在所述SOI衬底表面形成第一保护层；(c)采用第一掩膜版，利用光刻工艺在所述第一保护层上形成有源区图形；(d)利用干法刻蚀工艺，对所述有源区图形的指定位置四周刻蚀所述第一保护层及所述SOI衬底的顶层Si层从而形成有所述台状有源区；(e)对所述台状有源区四周利用原位掺杂工艺分别淀积P型Si材料和N型Si材料形成P区和N区；(f)在所述台状有源区四周淀积多晶Si材料；(g)在所述多晶Si材料表面制作引线并光刻PAD以形成所述固态等离子二极管。
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