[发明专利]一种键合对准精度的检测方法和半导体器件有效
| 申请号： | 201611187333.5 | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN108206142B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 程晋广;陈福成;施林波 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种键合对准精度的检测方法和半导体器件，涉及半导体技术领域。包括：提供第一器件晶圆，在所述第一器件晶圆上形成第一对准标记，所述第一对准标记的形状为环形；提供第二器件晶圆，在所述第二器件晶圆上形成第二对准标记；形成介质层以覆盖所述第二器件晶圆形成有所述第二对准标记的面，并且所述介质层的表面与所述第二对准标记的表面齐平；在所述介质层上形成围绕所述第二对准标记的虚拟键合层；将所述第一器件晶圆和所述第二器件晶圆进行键合，第一对准标记和虚拟键合层相对准并键合，第二对准标记与第一对准标记所包围的空白区域相对；对所述第一对准标记和所述第二对准标记组成的图形进行成像，以检测键合的对准精度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对准 精度 检测 方法 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种键合对准精度的检测方法，其特征在于，所述方法包括：提供第一器件晶圆，在所述第一器件晶圆上形成第一对准标记，其中，所述第一对准标记的形状为环形；提供第二器件晶圆，在所述第二器件晶圆上形成第二对准标记；形成介质层，以覆盖所述第二器件晶圆形成有所述第二对准标记的面，并且所述介质层的表面与所述第二对准标记的表面齐平；在所述介质层上形成围绕所述第二对准标记的虚拟键合层；将所述第一器件晶圆和所述第二器件晶圆进行键合，其中，所述第一对准标记和所述虚拟键合层相对准并键合，所述第二对准标记与所述第一对准标记所包围的空白区域相对；对所述第一对准标记和所述第二对准标记组成的图形进行成像，以检测键合的对准精度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
