[发明专利]制作偶极子天线的异质Ge基等离子pin二极管的制备方法

摘要

本发明涉及一种制作偶极子天线的异质Ge基等离子pin二极管的制备方法，所述偶极子天线的Ge基等离子pin二极管天线臂由多个Ge基等离子pin二极管依次首尾相连构成等离子pin二极管串，所述Ge基等离子pin二极管的制备方法包括：选取GeOI衬底并设置隔离区；刻蚀所述GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，氧化所述P型沟槽和所述N型沟槽以形成氧化层；填充所述P型沟槽和所述N型沟槽，并采用离子注入在所述GeOI衬底的顶层Ge内形成P型有源区和N型有源区；在所述GeOI衬底上生成二氧化硅；利用退火工艺激活有源区中的杂质；在所述P型接触区和所述N型接触区光刻引线孔以形成引线；钝化处理并光刻PAD以形成所述Ge基等离子pin二极管。

主权项

一种制作偶极子天线的异质Ge基等离子pin二极管的制备方法，其特征在于，所述偶极子天线包括半导体基片GeOI，Ge基等离子pin二极管天线臂，同轴馈线和直流偏置线，所述的Ge基等离子pin二极管天线臂由多个Ge基等离子pin二极管依次首尾相连构成等离子pin二极管串，所述Ge基等离子pin二极管的制备方法包括：(a)选取某一晶向的GeOI衬底，并在所述GeOI衬底内设置隔离区；(b)刻蚀所述GeOI衬底形成P型沟槽和N型沟槽，所述P型沟槽和所述N型沟槽的深度小于所述GeOI衬底的顶层Ge的厚度；(c)氧化所述P型沟槽和所述N型沟槽以使所述P型沟槽和所述N型沟槽的内壁形成氧化层；(d)利用湿法刻蚀工艺刻蚀所述P型沟槽和所述N型沟槽内壁的氧化层以完成所述P型沟槽和所述N型沟槽内壁的平整化；(e)填充所述P型沟槽和所述N型沟槽，并采用离子注入在所述GeOI衬底的顶层Ge内形成P型有源区和N型有源区；(f)在所述GeOI衬底上生成二氧化硅；利用退火工艺激活有源区中的杂质；(g)在所述P型接触区和所述N型接触区光刻引线孔以形成引线；钝化处理并光刻PAD以形成所述Ge基等离子pin二极管。