[发明专利]一种光伏组件用光转换增透玻璃在审
| 申请号： | 201611188426.X | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN106784088A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 金良茂;甘治平;汤永康;王东 | 申请（专利权）人： | 蚌埠玻璃工业设计研究院;中国建材国际工程集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/048 | 分类号： | H01L31/048 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所34113 | 代理人： | 陈俊 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种光伏组件用光转换增透玻璃，包括光伏超白压花玻璃基板，光伏超白压花玻璃基板的绒面涂覆有光转换增透膜，光转换增透膜由基质材料掺杂稀土金属离子构成，所述基质材料采用纳米多孔二氧化硅、纳米多孔氧化铝或纳米多孔氧化钛，所述稀土金属离子采用Sm3+、Eu3+、Y3+与Er3+中的一种或两种以上；所述光转换增透膜中稀土金属离子的掺杂含量为1～6%；在提高透过率的同时，将紫外光转换为可见光，进一步利用太阳光中的紫外线部分的能量，透光率和功率增加值高，且使用成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 组件 用光 转换 玻璃 | ||
【主权项】：
一种光伏组件用光转换增透玻璃，其特征在于，包括光伏超白压花玻璃基板，光伏超白压花玻璃基板的绒面涂覆有光转换增透膜，光转换增透膜由基质材料掺杂稀土金属离子构成，所述基质材料采用纳米多孔二氧化硅、纳米多孔氧化铝或纳米多孔氧化钛，所述稀土金属离子采用Sm3+、Eu3+、Y3+与Er3+中的一种或两种以上；所述光转换增透膜中稀土金属离子的掺杂含量为1～6%。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
