[发明专利]基于台状有源区的固态等离子体PiN二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201611188578.X | 申请日： | 2016-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN106653867B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 王斌;杨佳音;张鹤鸣;郝敏如;胡辉勇;宋建军;舒斌;宣荣喜;苏汉 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/868 | 分类号： | H01L29/868;H01L21/329 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 闫家伟 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于台状有源区的固态等离子体PiN二极管及其制备方法。该制备方法包括：(a)选取SOI衬底；(b)刻蚀SOI衬底形成台状有源区；(c)对所述台状有源区四周利用原位掺杂工艺分别淀积P型Si材料和N型Si材料形成P区和N区；(d)在所述台状有源区四周淀积多晶Si材料；(e)在所述多晶Si材料表面制作引线并光刻PAD以形成所述固态等离子体PiN二极管。本发明实施例利用原位掺杂工艺能够制备并提供适用于形成固态等离子天线的高性能基于台状有源区的固态等离子体PiN二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 有源 固态 等离子体 pin 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于台状有源区的固态等离子体PiN二极管及其制备方法，其特征在于，所述固态等离子体PiN二极管用于制作固态等离子天线，所述制备方法包括步骤：(a)选取SOI衬底；(b)刻蚀SOI衬底形成台状有源区；(c)对所述台状有源区四周利用原位掺杂工艺分别淀积P型Si材料和N型Si材料形成P区和N区；(d)在所述台状有源区四周淀积多晶Si材料；(e)在所述多晶Si材料表面制作引线并光刻PAD以形成所述固态等离子体PiN二极管。
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