[发明专利]一种大模场单模多层纤芯的瓣状光纤

摘要

一种大模场单模多层纤芯的瓣状光纤，属于大功率光纤放大器、激光器和特种光纤。克服了现有大模场单模光纤批量生产成品率低以及瓣状光纤模场面积有限等缺陷。该光纤中心为掺稀土离子芯区(1)，由内到外分布第一硅环芯(2，1)、第一掺稀土离子环芯(3,1)…第N层硅环芯(2，N)、第N层掺稀土离子环芯(3，N)，围绕第N层离子环芯均匀分布M个相同半径和弧度的瓣状芯(4,1)…(4,M)，内包层(5)，外包层(6)。离子芯区、离子环芯、瓣状芯的折射率相等，为n1；硅环芯的折射率相等，为n2；n2<n1。瓣状纤芯由一根光纤预制棒处理成M个相同半径和弧度的瓣状纤芯，节省材料、便于制造。本发明制造方法简便有效，适用于大规模生产。

主权项

大模场单模多层纤芯的瓣状光纤，其特征为：该光纤中心为掺稀土离子芯区(1)，由内到外分布第一层硅环芯(2，1)、第一层掺稀土离子环芯(3,1)……第N层硅环芯(2，N)、第N层掺稀土离子环芯(3，N)，该光纤内包层围绕第N层掺稀土离子环芯(3，N)均匀分布M个相同半径和弧度的瓣状纤芯(4,1)……(4,M)，内包层(5)，外包层(6)，1≤N≤5整数，3≤M≤32整数；掺稀土离子芯区(1)、掺稀土离子环芯(3,1)……(3,N)、瓣状纤芯(4,1)……(4,M)的折射率相等；第一层硅环芯(2，1)……第N层硅环芯(2，N)的折射率相等；第一层硅环芯(2，1)……第N层硅环芯(2，N)的折射率小于掺稀土离子芯区(1)、掺稀土离子环芯(3,1)……(3,N)、瓣状纤芯(4,1)……(4,M)的折射率；内包层(5)的折射率小于第一层硅环芯(2，1)……第N硅环芯(2，N)的折射率，外包层(6)的折射率小于内包层(5)的折射率。