[发明专利]具有背栅负电容的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201611189669.5 | 申请日： | 2016-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN106653857B | 公开（公告）日： | 2020-05-29 |
| 发明（设计）人： | 朱慧珑;朱正勇;贾昆鹏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/34;H01L21/28;H01L21/44 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 公开了一种具有背栅负电容的半导体器件及其制造方法及包括这种半导体器件的电子设备。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底；在衬底上设置的有源层；设于有源层上的控制栅；设于有源层下的背栅，其中，背栅包括负电容器。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 背栅负 电容 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；在衬底上设置的有源层；设于有源层上的控制栅；设于有源层下的背栅，其中，背栅包括负电容器。
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