[发明专利]一种硅太阳电池的镓掺杂氧化锌减反射薄膜及其镀膜方法有效
申请号: | 201611190667.8 | 申请日: | 2016-12-21 |
公开(公告)号: | CN106653873B | 公开(公告)日: | 2017-11-17 |
发明(设计)人: | 于晓明;余璇;陈立桥;龙运前 | 申请(专利权)人: | 浙江海洋大学 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/18 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司33109 | 代理人: | 尉伟敏 |
地址: | 316022 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本发明涉及太阳能电池领域,公开了一种硅太阳电池的镓掺杂氧化锌减反射薄膜及其镀膜方法。该反射薄膜制备方法为将硝酸锌,乙酰丙酮锌、硝酸镓和乙醇在20‑80℃下混合反应,陈化后形成镓掺杂氧化锌溶胶,然后将镓掺杂氧化锌溶胶涂覆在硅片表面形成连续薄膜。本发明的镓掺杂氧化锌减反射薄膜中掺杂有镓元素,进一步提高薄膜的透射率,并且其制备方法简单快捷、易控制,可操作性强,在镀膜时,无需大型真空设备,无需高高温退火,可在较低温度下、空气中大面积制备,能够降低对硅太阳能电池的热损坏程度,制备成本低廉。并且制得的镓掺杂氧化锌减反射薄膜同时兼具光透过率高、电阻率较低、防污性能好的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 太阳电池 掺杂 氧化锌 反射 薄膜 及其 镀膜 方法 | ||
【主权项】:
一种硅太阳电池的镓掺杂氧化锌减反射薄膜,其特征在于制备方法如下:将硝酸锌、乙酰丙酮锌、硝酸镓和乙醇在20‑80℃下混合并进行反应,陈化20‑28h后形成镓掺杂氧化锌溶胶,然后将镓掺杂氧化锌溶胶涂覆在硅片表面形成连续薄膜,即为镓掺杂氧化锌减反射薄膜;其中配比溶液中硝酸锌的浓度为0.1‑2mol/L,硝酸锌和乙酰丙酮锌物质的量比为1:0.8‑1.2;镓离子的掺杂量为锌离子摩尔量的1‑6%;在制得所述镓掺杂氧化锌溶胶后,向镓掺杂氧化锌溶胶中添加其0.01‑0.05倍质量的二氧化钛溶胶,然后搅拌均匀,得到混合溶胶;制得混合溶胶后,向混合溶胶中添加其0.1‑0.2倍质量的溶有硬脂酸的三氯甲烷,在60‑70℃下搅拌反应20‑40min;然后再添加混合溶胶0.1‑0.3倍质量的月硅酸钠溶液,在40‑60℃下搅拌反应20‑40min,最后用乙醇清洗溶胶并置换原溶剂,制得疏水改性混合溶胶;其中,所述硬脂酸在三氯甲烷中的浓度为4‑6wt%,所述月硅酸钠溶液的浓度为0.1‑0.2mol/L。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的