[发明专利]互连结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201611191301.2 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN107039338B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 吴俊毅;李建勋;周淳朴;薛福隆 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供用于制造互连结构的方法以及互连结构。该方法包括：在衬底中形成开口；在开口中形成低k介电块；在低k介电块中形成至少一个通孔；以及在通孔中形成导体。该互连结构包括衬底、介电块和导体。衬底具有位于其中的开口。介电块位于衬底的开口中。介电块具有位于其中的至少一个通孔。介电块的介电常数小于衬底的介电常数。导体位于介电块的通孔中。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体的互连结构的方法，所述方法包括：在衬底中形成开口；在所述开口中形成低k介电块；在所述低k介电块中形成至少一个第一通孔；以及在所述第一通孔中形成第一导体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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