[发明专利]一种重掺衬底反型高阻IC外延片的制备方法有效
| 申请号： | 201611191347.4 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN106653570B | 公开（公告）日： | 2019-12-03 |
| 发明（设计）人： | 魏建宇;金龙;谭卫东 | 申请（专利权）人： | 南京国盛电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 32204 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) | 代理人： | 张婧<国际申请>=<国际公布>=<进入国 |
| 地址： | 211100 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种重掺衬底反型高阻IC外延片的制备方法，包括如下步骤：A、预备重掺衬底埋层片；B、HCl抛光；C、外延生长：选择双层外延工艺条件，硅源采用超高纯三氯氢硅，第一步生长一重掺过渡层，其生长温度为1100℃，生长速率为0.4～0.6um/min；第二步生长一高阻外延层，其生长温度为1160～1180℃，生长速率为0.4～0.6um/min。本发明中的衬底选择背封层为二氧化硅(LTO)+多晶硅(Poly)的埋层片，其在后续的HCL抛光中，通过低温小流量气腐，可在保障表面抛光作用的同时，又不至于将埋层处理掉，能够进一步促进背面的吸硅作用，以及更好的保护二氧化硅背封膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 衬底 反型高阻 ic 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种重掺衬底反型高阻IC外延片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：/nA、预备重掺衬底埋层片：选用重掺的埋层片，电阻率＜0.01Ωcm，背封层为二氧化硅+多晶硅；/nB、HCl抛光：在1100℃下，选择HCl流量为3～5L/min，抛光时间2～6min，抛光完成后H2吹扫4～8min；/nC、外延生长：选择双层外延工艺条件，硅源采用超高纯三氯氢硅，第一步生长一重掺过渡层，其生长温度为1100℃，厚度为1～2μm，生长速率为0.4～0.6μm/min；第二步生长一高阻外延层，其生长温度为1160～1180℃，生长速率为0.4～0.6μm/min。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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