[发明专利]一种无铝波导层的红光半导体激光器结构有效
| 申请号： | 201611192088.7 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108233179B | 公开（公告）日： | 2020-02-14 |
| 发明（设计）人： | 朱振;张新;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/323 | 分类号： | H01S5/323;H01S5/34 |
| 代理公司： | 37219 济南金迪知识产权代理有限公司 | 代理人： | 杨树云 |
| 地址： | 250101 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种无铝波导层的红光半导体激光器结构，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、上限制层和欧姆接触层；所述下波导层、量子阱层、上波导层均为镓铟磷材料。本发明波导层使用无铝的镓铟磷材料，实现有源区全无铝，对生长环境尤其是氧杂质浓度的要求不再那么苛刻。同时腔面解理时由于有源区无铝，抗氧化能力增加，腔面缺陷有效减少。此设计不仅减少了材料内部的氧杂质缺陷，还降低了腔面缺陷的形成，可以减少光吸收，提高腔面的抗烧毁能力及半导体激光器的寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 波导层 腔面 红光半导体激光器 量子阱层 上波导层 下波导层 氧杂质 镓铟磷 源区 半导体激光器 抗氧化能力 欧姆接触层 材料内部 上限制层 生长环境 下限制层 有效减少 光吸收 衬底 解理 烧毁 | ||
【主权项】：
1.一种无铝波导层的红光半导体激光器结构，其特征在于，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、上限制层和欧姆接触层；所述下波导层、量子阱层、上波导层均为镓铟磷材料；/n所述量子阱层为带隙为1.84eV的有序镓铟磷材料，所述下波导层、上波导层均为带隙为1.91eV的无序镓铟磷材料；所述有序镓铟磷材料是指在600-640℃温度范围内生长的镓铟磷材料；所述无序镓铟磷材料是指在660-700℃温度范围内生长的镓铟磷材料。/n
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