[发明专利]一种制作磁性随机存储器的方法有效
| 申请号： | 201611192681.1 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108232009B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 张云森 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/14 | 分类号： | H01L43/14 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种制作磁性随机存储器的方法，通过改良磁性隧道结和CMOS电路的连接方法，即：在第一金属连接线上制作钨或钽底电极接触(BEC，Bottom Electrode Contact)取代铜通孔；直接让顶电极与第二金属连接线接触来取代额外制作的连接通孔(VIA)，同时，采用自对准的刻蚀工艺，一次完成MRAM器件区第二金属连接线和逻辑器件区的通孔和第二金属连接线的刻蚀。本发明的有益效果：避免铜带来的污染问题，降低了工艺的复杂程度和生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 磁性 随机 存储器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制作磁性随机存储器的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：提供带有第一金属连接线的基底；步骤2：在存储器件区域的所述第一金属连接线上制作底电极接触；步骤3：在所述底电极接触上制作磁性隧道结；步骤4：在逻辑器件区域制作通孔，并完成第二金属连接线的制作。
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