[发明专利]一种清除磁性隧道结硬掩模刻蚀之后形成的聚合物的方法在审
| 申请号： | 201611192682.6 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108231580A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 张云森 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种清除磁性隧道结硬掩模刻蚀之后形成的聚合物的方法，包括如下步骤：步骤1：提供包括磁性隧道结多层膜的衬底；步骤2：在衬底上沉积形成导电硬掩模单层结构或者形成导电硬掩模和牺牲掩模双层结构；步骤3：图形化磁性隧道结图案到导电硬掩模的顶部；步骤4：反应离子刻蚀导电硬掩模；步骤5：采用含氟元素的气体、含氧元素的气体或含氮元素的气体干法刻蚀去掉残留的含碳膜层和聚合物。本发明的有益效果：能够有效的去除在导电硬掩模刻蚀之后形成聚合物，提高了器件的良率，节约了制造成本，有利于MRAM电路得大规模生产。 | ||
| 搜索关键词： | 硬掩模 导电 磁性隧道结 聚合物 刻蚀 衬底 反应离子刻蚀 单层结构 干法刻蚀 含氮元素 双层结构 牺牲掩模 制造成本 多层膜 碳膜层 图形化 沉积 含氟 含氧 良率 去除 电路 残留 图案 节约 | ||
【主权项】：
1.一种清除磁性隧道结硬掩模刻蚀之后形成的聚合物的方法，其特征在于，包括步骤如下：步骤1：提供包括磁性隧道结多层膜的衬底；步骤2：在所述衬底上沉积形成导电硬掩模单层结构或者形成导电硬掩模和牺牲掩模双层结构；步骤3：图形化磁性隧道结图案到所述导电硬掩模的顶部；步骤4：反应离子刻蚀所述导电硬掩模；步骤5：采用含氟元素的气体、含氧元素的气体或含氮元素的气体干法刻蚀去掉残留的含碳膜层和聚合物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
