[发明专利]半导体器件及其制作方法、电子装置在审
| 申请号： | 201611192743.9 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108231747A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 朱继光;李海艇;何作鹏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;张建 |
| 地址： | 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法、电子装置，该制作方法包括：提供器件晶圆，在所述器件晶圆上形成隔离层，在所述隔离层上形成多层层叠结构，每层所述层叠结构包括一层金属层和一层覆盖该金属层的介质层，多层所述金属层形成至少一个电感线圈结构，在所述层叠结构与所述电感线圈结构中心区域对应的位置形成磁芯。该制作方法可以提高电感器件的感应系数和电感值，进而提高诸如RF器件等半导体器件的射频性能。该半导体器件及电子装置具体类似的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 电子装置 金属层 电感线圈结构 层叠结构 隔离层 制作 晶圆 电感 多层层叠结构 电感器件 感应系数 射频性能 中心区域 介质层 磁芯 多层 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：提供器件晶圆，在所述器件晶圆上形成隔离层，在所述隔离层上形成多层层叠结构，每层所述层叠结构包括一层金属层和一层覆盖该金属层的介质层，多层所述金属层形成至少一个电感线圈结构，在所述层叠结构与所述电感线圈结构中心区域对应的位置形成磁芯。
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