[发明专利]微影方法在审
| 申请号： | 201611193075.1 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN107154344A | 公开（公告）日： | 2017-09-12 |
| 发明（设计）人： | 郑雅玲;王筱姗;陈建志;林纬良;陈俊光;张庆裕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;G03F7/26 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司72003 | 代理人： | 王芝艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种微影方法，包括形成第一层于基板上；形成图案化光致抗蚀剂层于第一层上；施加溶液于图案化光致抗蚀剂层上，以形成顺应层于图案化光致抗蚀剂层上，其中顺应层还包括第一部分于图案化光致抗蚀剂层的上表面上，以及第二部分沿着图案化光致抗蚀剂层的侧壁延伸；选择性移除图案化光致抗蚀剂层的上表面上的顺应层的第一部分；以及选择性移除图案化光致抗蚀剂层，以保留顺应层的第二部分。 | ||
| 搜索关键词： | 方法 | ||
【主权项】：
一种微影方法，包括：形成一第一层于一基板上；形成一图案化光致抗蚀剂层于该第一层上；施加一溶液于该图案化光致抗蚀剂层上，以形成一顺应层于该图案化光致抗蚀剂层上，其中该顺应层还包括一第一部分于该图案化光致抗蚀剂层的上表面上，以及一第二部分沿着该图案化光致抗蚀剂层的侧壁延伸；选择性移除该图案化光致抗蚀剂层的上表面上的该顺应层的该第一部分；以及选择性移除该图案化光致抗蚀剂层，以保留该顺应层的该第二部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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