[发明专利]一种AlGaInP结构的808nm半导体激光器结构有效
| 申请号： | 201611193555.8 | 申请日： | 2016-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN108233180B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 朱振;张新;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 杨树云 |
| 地址： | 250101 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种AlGaInP结构的808nm半导体激光器结构，从下至上依次为衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱、上波导层、第一上限制层、第二上限制层和欧姆接触层，所述第一上限制层与所述第二上限制层之间设有通过含Al材料的选择性腐蚀溶液的腐蚀阻挡层。腐蚀时可以通过含Al材料的选择性腐蚀溶液，使腐蚀面截止于腐蚀阻挡层。脊型结构两侧的对称性及不同批次之间的一致性得到大大改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 algainp 结构 808 nm 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种AlGaInP结构的808nm半导体激光器结构，其特征在于，从下至上依次为衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱、上波导层、第一上限制层、第二上限制层和欧姆接触层，所述第一上限制层与所述第二上限制层之间设有通过含Al材料的选择性腐蚀溶液的腐蚀阻挡层。
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