[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201611195878.0 | 申请日： | 2016-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN107032290B | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 张凯峯;吕联沂;蔡连尧 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种MEMS器件及其形成方法。图案化第一衬底的介电层以通过介电层暴露导电部件和底部层。将第二衬底的第一表面接合至介电层并且图案化介电层以形成膜和可移动元件。将覆盖晶圆接合至第二衬底，在将覆盖晶圆接合至第二衬底的位置形成包括可移动元件的第一密封腔并且第二密封腔以膜部分地为界。去除覆盖晶圆的部分以将第二密封腔暴露于环境压力。本发明实施例涉及半导体器件及其形成方法，更具体地涉及微机电器件及其形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种用于形成微机电(MEMS)器件的方法，该方法包括：图案化第一衬底的介电层以通过所述介电层暴露导电部件和底部层，所述第一衬底包括所述介电层和所述底部层，所述导电部件设置在靠近所述底部层的所述介电层中；将第二衬底的第一表面接合至所述介电层；图案化所述第二衬底以形成膜和可移动元件；在所述第二衬底的第二表面上形成多个第一金属接合件，其中，所述第二表面与所述第一表面相对；在覆盖晶圆的表面上形成多个第二金属接合件；通过将所述多个第二金属接合件接合至所述多个第一金属接合件来将所述覆盖晶圆接合至所述第二衬底，其中，将所述覆盖晶圆接合至所述第二衬底形成包括所述可移动元件的第一密封腔以及形成以所述膜部分地为界的第二密封腔；以及去除所述覆盖晶圆的部分以将所述第二密封腔暴露于环境压力。
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