[发明专利]发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201611196635.9 | 申请日： | 2016-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN106784223B | 公开（公告）日： | 2019-05-14 |
| 发明（设计）人： | 蒙成;吴俊毅;杨恕帆;王笃祥 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/38 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管的制作方法，包括步骤：提供一外延结构，依次包含生长衬底、第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；在第二类型半导体层的表面上形成扩展电极，并进行热处理，与第二类型半导体层形成欧姆接触；提供一临时基板，将其与外延结构接合，并去除所述生长衬底，裸露出第一类型半导体层的表面；在所述裸露出的第一类型半导体层表面上依次形成欧姆接触层、镜面层和键合层；提供一导电基板，将其与所述键合层接合，移除临时基板，裸露出部分第二类型半导体层的表面和扩展电极；采用化学蚀刻裸露出来的第二类型半导体层的表面，形成粗化表面；在第二类型半导体层的表面上形成焊线电极，其与所述扩展电极形成闭合回路。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.发光二极管的制作方法，包括步骤：（1）提供一外延结构，依次包含生长衬底、第一类型半导体层、有源层和第二类型半导体层；（2）在所述第二类型半导体层的表面上形成扩展电极，并进行热处理使其与所述第二类型半导体层形成欧姆接触；（3）提供一临时基板，将其与所述外延结构接合，并去除所述生长衬底，裸露出第一类型半导体层的表面；（4）在所述裸露出的第一类型半导体层表面上依次形成欧姆接触层、镜面层和键合层；（5）提供一导电基板，将其与所述键合层接合，移除临时基板，裸露出部分第二类型半导体层的表面和扩展电极；（6）化学蚀刻裸露出来的第二类型半导体层的表面，形成粗化表面；（7）在第二类型半导体层的表面上形成焊线电极，其与所述扩展电极形成闭合回路。
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