[发明专利]一种响应光谱可调节的光电探测器有效
申请号: | 201611197584.1 | 申请日: | 2016-12-22 |
公开(公告)号: | CN106784056B | 公开(公告)日: | 2018-04-24 |
发明(设计)人: | 王琦龙;陈广甸;翟雨生 | 申请(专利权)人: | 东南大学 |
主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/113;B82Y40/00 |
代理公司: | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙)32249 | 代理人: | 唐绍焜 |
地址: | 211189 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种响应光谱可调节的新型光电探测器,其特征在于,器件结构自下而上依次为是绝缘衬底、栅极、第一绝缘隔离层、导电沟道层、金属源漏极、第二绝缘隔离层、等离激元金属纳米结构、电光晶体覆盖层及透明引出电极。器件利用外加电压调控电光晶体覆盖层的折射率,使得覆盖物的折射率随外电压的改变而改变,进而实现调控金属纳米结构的等离激元共振波长和探测器的响应波长。本探测器件结构可以通过电压调节响应光谱,易于小型化和微型化,将在光电子器件和光通讯领域有很好的应用前景。 | ||
搜索关键词: | 一种 响应 光谱 调节 光电 探测器 | ||
【主权项】:
一种响应光谱可调节的光电探测器,包括自下而上设置的绝缘衬底(1)、金属栅极(2)、第一绝缘隔离层(3)以及半导体层(4),在所述半导体层(4)上两侧分别设有金属源极(5)和金属漏极(6);其特征在于:在所述半导体层(4)上依次设有第二绝缘隔离层(7)及电光晶体覆盖层(9);所述第二绝缘隔离层(7)及电光晶体覆盖层(9)隔离设置于所述金属源极(5)和金属漏极(6)之间;在所述第二绝缘隔离层(7)上间隔设置有等离激元金属纳米结构(8);所述等离激元金属纳米结构(8)上端与所述电光晶体覆盖层(9)接触,下端与所述半导体层(4)相接触;在所述电光晶体覆盖层(9)上方两侧设置有用于外接电路的透明引出电极。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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