[发明专利]一种单芯片霍尔电流传感器及其制备方法在审

专利信息
申请号: 201611200641.7 申请日: 2016-12-22
公开(公告)号: CN106653999A 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: 何云;刘桂芝 申请(专利权)人: 上海南麟电子股份有限公司
主分类号: H01L43/06 分类号: H01L43/06;H01L43/04;H01L43/14
代理公司: 上海光华专利事务所31219 代理人: 余明伟
地址: 201210 上海市浦东新区*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种单芯片霍尔电流传感器及其制备方法,包括将霍尔传感器芯片正装于框架的承载区,所述霍尔传感器芯片的焊盘通过金属连线与框架的第一引脚区连接;导体电流环通过条带技术设置于所述霍尔传感器芯片的霍尔感应区域上方,其中,所述导体电流环为金属条带,与所述框架的第二引脚区连接;所述霍尔传感器芯片到所述导体电流环的距离小于所述导体电流环的宽度。本发明的条带宽度可调,通过调节条带宽度使霍尔电流传感器适应不同的电流强度;同时,不受凸点工艺中凸点高度的限制,可以进一步减小测量点与导体的距离r,增强传感器的线性度;此外,可以降低封装成本和产品研发周期,提高霍尔电流传感器的经济效益。
搜索关键词: 一种 芯片 霍尔 电流传感器 及其 制备 方法
【主权项】:
一种单芯片霍尔电流传感器,其特征在于,所述单芯片霍尔电流传感器至少包括:正装于框架的承载区的霍尔传感器芯片,所述霍尔传感器芯片的焊盘通过金属连线与框架的第一引脚区连接;导体电流环位于所述霍尔传感器芯片的霍尔感应区域上方,其中,所述导体电流环为金属条带,与所述框架的第二引脚区连接;所述霍尔传感器芯片到所述导体电流环的距离小于所述导体电流环的宽度。
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