[发明专利]一种超薄蓝宝石晶片的抛光工艺

摘要

本发明提供了一种超薄蓝宝石晶片的抛光工艺，包括如下步骤：1)对切割获得的蓝宝石晶片按厚度分组；2)提供一个吸附垫，吸附垫上设置有多个用于放置蓝宝石晶片的多个型腔孔，用清水湿润腔孔，将蓝宝石晶片装入型腔孔中并使二者相对固定；3)将吸附垫的型腔孔开口朝下放置在抛光机的铜盘上对蓝宝石晶片进行粗抛光；4)将粗抛光后的蓝宝石晶片放置在双面抛光机的下抛光盘上进行精抛光。采用本发明的超薄蓝宝石晶片抛光工艺大大缩短抛光时间，提高了抛光效率，降低了生产成本，抛光后蓝宝石晶片的厚度比较薄，可以达到0.1～0.2mm，抛光质量稳定可靠，符合现有蓝宝石产品往更轻薄方向发展的趋势。

主权项

1.一种超薄蓝宝石晶片的抛光工艺，所述超薄蓝宝石晶片抛光后产品的厚度为0.1～0.2mm，其特征在于，所述抛光工艺包括如下步骤：1)、对切割获得的蓝宝石晶片按厚度分组，使得同一组中多片蓝宝石晶片的厚度差在0.015mm以内；2)、粗抛准备阶段：提供一个吸附垫，所述吸附垫上设置有多个用于放置蓝宝石晶片的型腔孔，所述型腔孔的深度低于蓝宝石晶片完成粗抛步骤之后的厚度，用清水湿润所述型腔孔，再将蓝宝石晶片装入所述型腔孔中，使二者相对固定；3)、粗抛阶段：将上述吸附垫的型腔孔开口朝下放置在抛光机的铜盘上，铜盘上表面设有螺旋状或同心圆状的磨液槽，控制上压盘压紧所述吸附垫并带动所述吸附垫与上压盘同步转动，且上压盘与所述铜盘同向转动，注入粒径为3～5μm的钻石研磨液，所述铜盘对所述蓝宝石晶片进行粗抛光，整体压力为100～250g/cm2，所述铜盘的最高转速为15～45rpm，所述上压盘的最高转速为10～40rpm，且上压盘的转速与铜盘的转速不一致，抛光温度为25‑38℃，单面抛光25～35min；4)、精抛阶段：将粗抛光后的蓝宝石晶片通过薄片状固定装置放置在双面抛光机的下抛光盘上，所述薄片状固定装置的厚度为小于精抛后蓝宝石晶片产品的厚度，上抛光盘和下抛光盘的抛光面上均设置有抛光磨皮，控制所述上抛光盘、下抛光盘方向相反转动，注入粒径为25～35nm的三氧化二铝抛光液，所述上抛光盘和下抛光盘对蓝宝石晶片的上表面和下表面同时进行精抛光，整体压力为100～250g/cm2，所述上抛光盘的最高转速为12～20rpm，所述下抛光盘的最高转速为25～35rpm，抛光温度为38～45℃，抛光100～150min。