[发明专利]一种基于Cs2SnI6＆CH3NH3PbI3体异质结的太阳能电池的制备方法

摘要

本发明属于钙钛矿太阳能电池制备技术领域，特别涉及一种基于Cs2SnI6&CH3NH3PbI3体异质结的太阳能电池的制备方法。其中，无机Cs2SnI6具有钙钛矿变体结构，通过SnI4的乙醇溶液和CsI的DMF溶液反应的方法制备，用作太阳能电池中的空穴传输材料。通过将Cs2SnI6粉末溶解在CH3NH3PbI3前驱体溶液中旋涂得到黑色均一的薄膜，进一步组装得到具有体异质结结构的钙钛矿太阳能电池。本发明的制备工艺简单、无污染，原材料丰富、廉价，特别适合制备大批量、低成本太阳能电池。

主权项

一种基于Cs2SnI6&CH3NH3PbI3体异质结的太阳能电池的制备方法，首先采用溶液法制备Cs2SnI6粉末，利用SnI4的乙醇溶液和CsI的DMF溶液反应生长Cs2SnI6晶体，具体步骤如下：SnI4粉末溶解在温热乙醇溶液中，CsI粉末溶解在DMF溶液中，将上述溶液混合静置析出Cs2SnI6晶体，过滤干燥备用；然后将Cs2SnI6粉末溶解在CH3NH3PbI3前驱体溶液中，通过旋涂工艺沉积在F掺杂SnO2透明导电玻璃(FTO)上，获得黑色光亮且形貌厚度均一的薄膜，具体步骤如下：(1)将FTO透明导电玻璃切成1.6×1.7cm的基片，然后用碱液超声清洗30‑60min，接着酒精超声清洗30‑60min，最后用蒸馏水超声清洗10‑30min，放入烘干箱干燥以备用；(2)将PbI2、CH3NH3I粉末按1:1摩尔比溶于二甲基甲酰胺(DMF)中，70℃搅拌5h得前驱体溶液；(3)在(2)中的前驱体溶液中加入Cs2SnI6粉末，室温搅拌2h得混合溶液；(4)将(3)所得溶液旋涂在(1)中的FTO透明导电玻璃上，转速为4000r/min,旋涂时间为30s，100℃退火30min，即得Cs2SnI6&CH3NH3PbI3体异质结薄膜；随后在该薄膜上旋涂一层电子传输材料PCBM，作为电子传输层，转速为2000r/min；再在制备的薄膜表面旋涂一层BCP(浴铜灵)作为电极修饰层；最后在制备的薄膜表面通过真空镀膜技术蒸镀背电极Ag，从而得到太阳能电池。