[发明专利]三维架构非依电性存储器的控制器装置与操作方法有效
| 申请号： | 201611205443.X | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN106935271B | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 戴颖煜;赖瑾;朱江力 | 申请（专利权）人： | 威盛电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/34 | 分类号： | G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王珊珊 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请公开三维架构非依电性存储器的控制器装置与操作方法。所述控制器装置包括错误检查和纠正电路以及控制器。控制器耦接至三维架构非依电性存储器与错误检查和纠正电路。控制器可以依照物理地址存取三维架构非依电性存储器的目标字线。控制器将三维架构非依电性存储器的多个字线分群为多个字线群，其中不同字线群具有不同的码字结构。控制器依据目标字线所属字线群的码字结构来控制错误检查和纠正电路，而错误检查和纠正电路依据控制器的控制而产生码字用以存放于目标字线，或依据控制器的控制而检查来自目标字线的码字。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 架构 非依电性 存储器 控制器 装置 操作方法 | ||
【主权项】：
一种三维架构非依电性存储器的控制器装置，包括：错误检查和纠正电路；以及控制器，耦接至该三维架构非依电性存储器与该错误检查和纠正电路，用以依照物理地址存取该三维架构非依电性存储器的目标字线，其中该控制器将该三维架构非依电性存储器的多个字线分群为多个字线群，不同字线群具有不同的码字结构，该控制器依据该目标字线所属字线群的码字结构来控制该错误检查和纠正电路，该错误检查和纠正电路依据该控制器的控制而产生码字用以存放于该目标字线，或依据该控制器的控制而检查来自该目标字线的码字。
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