[发明专利]一种基波电流补偿高次谐波电流的LCCL谐振结构有效
| 申请号： | 201611206019.7 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN106787243B | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 高键鑫;吴旭升;汪小娜;高嵬 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军海军工程大学 |
| 主分类号： | H02J50/12 | 分类号： | H02J50/12;H02J3/01 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 430033 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基波电流补偿高次谐波电流的LCCL谐振结构，该结构包括：谐振电感，电磁感应式无线电能传输（Inductive Contact‑less Power Transfer，ICPT）系统电能发射端线圈，并联谐振电容，串联谐振电容，ICPT系统电能发射端线圈与串联谐振电容串联之后，再与并联谐振电容并联，之后与谐振电感串联，并且采用LCCL谐振结构输入端基波电流补偿LCCL谐振结构输入端高次谐波电流的方法，给出该结构的参数设计关系，达到与LCCL谐振结构相连接的ICPT系统全桥逆变器工作在零电流关断状态的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基波 电流 补偿 谐波 lccl 谐振 结构 | ||
【主权项】：
1.一种基波电流补偿高次谐波电流的LCCL谐振结构，其特征在于该谐振结构包括：谐振电感(110)，ICPT系统电能发射端线圈(111)，并联谐振电容(211)，串联谐振电容(210)，所述的ICPT系统电能发射端线圈(111)与所述的串联谐振电容(210)串联之后，再与所述的并联谐振电容(211)并联之后，最后与所述的谐振电感串联(110)，该结构对应的等效电路为：电感L‘2、电容C’2、ICPT系统电能发射端线圈交流电阻R‘l、ICPT系统电能接收端反射阻抗Z’f形成串联支路后，再与电容C‘1形成并联支路，最后与电感L’1形成串联支路，相应地，Rl为R‘l的电阻值，Zf为Z’f的反射阻抗值，C1表示电容C‘1的电容容值，C2表示电容C’2的电容容值，L1表示电感L’1的电感值，L2表示电感L‘2的电感值，并且满足：所述的谐振电感(110)与所述的串联谐振电容(210)在角频率ω0处形成谐振，即![]()
反射阻抗值Zf可分解为电抗分量Xf和电阻分量Rf，在ICPT系统电能接收端侧进行阻抗变换消除其电抗分量Xf，只保留其电阻分量Rf；C2的值大于![]()
且小于![]()
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