[发明专利]溅射靶材、溅射靶材的制造方法及薄膜形成方法有效
| 申请号： | 201611206269.0 | 申请日： | 2012-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN107419225B | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;丸山哲纪;井本裕己;佐藤瞳;渡边正宽;增山光男;冈崎健一;中岛基;岛津贵志 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 童春媛;黄念 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 与使用非晶硅的晶体管相比，有时使用氧化物半导体的晶体管的可靠性较差。于是，本发明的目的是制造一种具有可靠性高的使用氧化物半导体的晶体管的半导体装置。一种利用溅射法使用溅射靶材形成的氧化物半导体膜，所述溅射靶材包含以能够获得结晶结构的组成比混合原料而制造的具有c轴平行于氧化物半导体上表面的法向矢量的结晶区域的氧化物半导体。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 制造 方法 薄膜 形成 | ||
【主权项】：
一种溅射靶材的制造方法，包括如下工序：通过混合InOx原料、MOY原料及ZnOZ原料形成混合材料，其中M为Ga、Sn、Hf、Al、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和 Lu中的一种；通过对所述混合材料进行第一烘焙然后将所述混合材料粉碎来形成In‑M‑Zn‑O化合物粉末；将所述In‑M‑Zn‑O化合物粉末的一部分摊铺到模具中；通过对摊铺到所述模具中的所述In‑M‑Zn‑O化合物粉末的所述一部分进行第二烘焙及第一加压处理来形成化合物膜；以及通过在将所述In‑M‑Zn‑O化合物粉末的另一部分摊铺到所述模具中的所述化合物膜上进行成形之后进行第三烘焙及第二加压处理来增加所述化合物膜的厚度。
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