[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
申请号: | 201611206313.8 | 申请日: | 2016-12-23 |
公开(公告)号: | CN108242393B | 公开(公告)日: | 2021-04-23 |
发明(设计)人: | 李飞;刘尧;陈福成 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20;H01L21/02 |
代理公司: | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人: | 董巍;高伟 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种半导体器件的制造方法,所述方法包括:提供器件晶圆,所述器件晶圆具有彼此相对的正面和背面;对所述器件晶圆的边缘部分进行处理,以形成可使胶黏剂易脱落的表面;提供支撑晶圆,通过胶黏剂将所述支撑晶圆和所述器件晶圆的正面进行临时键合;对所述器件晶圆的背面进行背面处理工艺;进行解键合,使所述器件晶圆和所述支撑晶圆分离。通过本发明的制造方法有效减少在键合过程中的胶黏剂对器件晶圆边缘部分斜的粘结力,从而避免解键合过程中造成的器件晶圆碎裂。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件的制造方法,其特征在于,所述方法包括:提供器件晶圆,所述器件晶圆具有彼此相对的正面和背面;对所述器件晶圆的边缘部分进行处理,以形成可使胶黏剂易脱落的表面;提供支撑晶圆,通过胶黏剂将所述支撑晶圆和所述器件晶圆的正面进行临时键合;对所述器件晶圆的背面进行背面处理工艺;进行解键合,使所述器件晶圆和所述支撑晶圆分离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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