[发明专利]一种近红外光敏晶体管及其制备方法

摘要

本发明提供一种近红外光敏晶体管及其制备方法。本发明提供的近红外光敏晶体管，包括依次设置的单晶硅基底、二氧化硅层、石墨烯层和相对设置的电极对，所述电极对间设置有硒化铅量子点层，通过石墨烯提高载流子的迁移率，通过硒化铅量子点使近红外光敏晶体管对不同波长光具有灵敏的相应，得到的近红外光敏晶体管同时具有高响应率和快响应速度。实验结果表明，本发明提供的近红外光敏晶体管探测器探测波长可达1550nm，且响应灵敏度可达108A/W。

主权项

一种近红外光敏晶体管，包括依次设置的单晶硅基底、二氧化硅层、石墨烯层和相对设置的电极对，所述电极对间设置有硒化铅量子点层；所述硒化铅量子点层的厚度为5～30nm；硒化铅量子点的粒径为5～7nm；所述硒化铅量子点为以碘化铵为配体的硒化铅量子点；所述碘化铵与硒化铅量子点的质量比为40～50:50～60。