[发明专利]一种有机电极阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201611206793.8 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN106601910B | 公开（公告）日： | 2018-10-09 |
| 发明（设计）人： | 闫小兵;张磊;赵建辉 | 申请（专利权）人： | 河北大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 石家庄国域专利商标事务所有限公司 13112 | 代理人： | 白利霞;苏艳肃 |
| 地址： | 071002 河北*** | 国省代码： | 河北;13 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种有机电极阻变存储器，其结构是在衬底上依次形成有PCBM有机电极介质层、Zr0.5Hf0.5O2阻变转换层和Ag电极层。同时公开了该阻变存储器的制备方法：包括清洗、干燥衬底；将PCBM溶液旋涂于衬底上真空干燥后形成PCBM有机电极介质层；在PCBM有机电极介质层上通过磁控溅射法生长Zr0.5Hf0.5O2阻变转换层；在Zr0.5Hf0.5O2阻变转换层上生长Ag电极层。本发明提供的阻变存储器使用了PCBM薄膜作为阻变存储器的有机电极介质层，其有别于传统使用氧化物制备的存储器件，其结构独特，性能表现良好，是一种存储性能更为稳定、耐久性强、应用前景更为广阔的阻变存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 有机 电极 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种有机电极阻变存储器，其特征在于，其结构是在衬底上依次形成有PCBM有机电极、Zr0.5Hf0.5O2阻变转换层和Ag电极层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于河北大学，未经河北大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201611206793.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
