[发明专利]一种半导体器件及其形成方法

摘要

本申请提供了一种半导体器件和该器件的形成方法，在形成伪栅区的所述第二沟槽内填充介质材料，取代了现有技术中伪栅结构中的栅极材料和隔离层，避免了现有技术中伪栅结构中的栅极材料、隔离层和集电极之间形成电容，进而造成所述半导体器件的输入电容变大，影响所述半导体器件的响应速度，从而提高了所述半导体器件的响应速度。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包括第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面和所述第二表面之间包括第一导电类型的漂移区，所述漂移区和所述第一表面之间包括第二导电类型的基区，所述漂移区和所述第二表面之间包括第二导电类型的集电区；所述半导体衬底的第一表面内设有贯穿所述基区的多个第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽内包括栅极材料和位于所述栅极材料与所述半导体衬底之间的隔离层；所述第二沟槽内填充介质材料；所述半导体衬底的第一表面内设有与所述第一沟槽对应的多个第一导电类型的发射区，所述发射区与所述第一沟槽内的隔离层相接；所述半导体衬底第一表面上设有发射极和栅电极，所述发射极与所述发射区电连接，所述栅电极与所述栅极材料电连接；所述半导体衬底第二表面上设有集电极，所述集电极与所述集电区电连接。