[发明专利]半导体存储器器件在审

专利信息
申请号: 201611208652.X 申请日: 2016-12-23
公开(公告)号: CN107025922A 公开(公告)日: 2017-08-08
发明(设计)人: 船木寿彦 申请(专利权)人: 瑞萨电子株式会社
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10;G11C11/409
代理公司: 北京市金杜律师事务所11256 代理人: 李辉,董典红
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种堆栈存储器,包括基础芯片;存储器芯片,叠置在所述基础芯片上方;以及过孔,提供在基础芯片和存储器芯片之间。基础芯片具有外部接口电路和迟写入控制电路。外部接口电路从外部接收写入数据或向外部传送读取数据。迟写入控制电路至少具有存储通过所述外部接口电路从外部提供的写入数据的寄存器。存储器芯片具有存储器单元阵列;和迟写入控制电路,迟写入控制电路至少具有存储通过所述第一过孔从上述寄存器提供的写入数据的寄存器。
搜索关键词: 半导体 存储器 器件
【主权项】:
一种半导体存储器器件,包括:基础芯片;第一存储器芯片,所述第一存储器芯片叠置在所述基础芯片上方;以及第一通孔,所述第一通孔提供在所述基础芯片和所述第一存储器芯片之间并且用于传送读取数据和写入数据;以及其中所述基础芯片具有:外部接口电路,所述外部接口电路从外部接收写入数据或向外部传送读取数据;以及第一迟写入控制电路,所述第一迟写入控制电路至少具有第一寄存器,所述第一寄存器存储通过所述外部接口电路从外部提供的写入数据,以及其中所述第一存储器芯片具有:存储器单元阵列,所述存储器单元阵列具有布置成矩阵的多个存储器单元;以及第二迟写入控制电路,所述第二迟写入控制电路至少具有第二寄存器并且将从所述第二寄存器输出的写入数据写入到用于写入的目标存储器单元,所述第二寄存器存储通过所述第一通孔从所述第一寄存器提供的写入数据。
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