[发明专利]一种纵向沟道的SiC肖特基栅双极型晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 201611210307.X | 申请日： | 2016-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN106783987A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 宋庆文;刘思成;汤晓燕;元磊;张艺蒙;张玉明 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/47;H01L29/16;H01L21/331 |
| 代理公司： | 西安铭泽知识产权代理事务所(普通合伙)61223 | 代理人： | 潘宏伟 |
| 地址： | 710071 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种纵向沟道的SiC肖特基栅双极型晶体管，包括N+碳化硅衬底，形成于N+碳化硅衬底表面的发射极接触金属层，形成于N+碳化硅衬底上的P+缓冲层，形成于P+缓冲层上P‑漂移区，形成于P‑漂移区上的P+集电区，形成于P+集电区上的集电极接触金属层；还包括形成于P‑漂移区上的至少两个竖直沟槽，每个沟槽上均形成有肖特基栅金属层。本发明提供的器件，在P‑漂移区采用纵向沟道JFET器件的沟道结构并以肖特基接触金属做为器件栅极来代替传统IGBT器件的上部结构，器件沟道区宽度为0.5～1.5μm。本发明器件具有制作工艺简单，成本低和器件电流增益高等优点，可用于开关稳压电源、电能转换、汽车电子以及石油钻井设备等应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纵向 沟道 sic 肖特基栅双极型 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种纵向沟道的SiC肖特基栅双极型晶体管，其特征在于，包括N+碳化硅衬底(2)，形成于所述N+碳化硅衬底(2)表面的发射极接触金属层(1)，形成于所述N+碳化硅衬底(2)上的P+缓冲层(3)，形成于所述P+缓冲层(3)上P‑漂移区(4)，形成于所述P‑漂移区(4)上的P+集电区(5)，形成于所述P+集电区(5)上的集电极接触金属层(6)；还包括形成于所述P‑漂移区(4)上的至少两个竖直沟槽，每个所述沟槽上均形成有肖特基栅金属层(7)。
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