[发明专利]形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201611213212.3 | 申请日： | 2016-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN107204279B | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | 翁明晖;罗冠昕;林纬良;洪继正 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/02;H01L21/768 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 一种形成半导体器件的方法包括提供衬底；在衬底上方形成芯轴图案；以及在芯轴图案的侧壁上形成间隔件。该方法进一步包括去除芯轴图案，从而形成至少部分地被间隔件围绕的沟槽。该方法进一步包括在沟槽中沉积共聚物材料，其中共聚物材料是定向自组装的；并且引发共聚物材料内的微相分离，从而限定由第二组分聚合物围绕的第一组分聚合物。芯轴图案具有限制的尺寸和限制的配置。第一组分聚合物包括布置成矩形阵列或正方形阵列的圆柱。 | ||
| 搜索关键词： | 芯轴 组分聚合物 图案 共聚物材料 间隔件 衬底 半导体器件 引发共聚物 正方形阵列 矩形阵列 微相分离 自组装 侧壁 地被 沉积 去除 配置 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体器件的方法，包括：/n提供衬底；/n在所述衬底上方形成芯轴图案，其中，形成所述芯轴图案的步骤包括：实施第一光刻，从而在所述衬底上方形成所述芯轴图案的第一阵列；以及实施第二光刻，从而在所述衬底上方形成所述芯轴图案的第二阵列，其中，所述第一阵列的行和所述第二阵列的行是交错的，并且所述第一阵列的列和所述第二阵列的列是交错的；/n在所述芯轴图案的侧壁上形成间隔件；/n去除所述芯轴图案，从而形成至少部分地被所述间隔件围绕的沟槽；/n在所述沟槽中沉积共聚物材料，其中，所述共聚物材料是定向自组装的；以及/n在所述共聚物材料内引发微相分离，从而限定由第二组分聚合物围绕的第一组分聚合物。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
