[发明专利]一种直拉法生产单晶硅过程中对挂料的处理方法在审
申请号: | 201611213827.6 | 申请日: | 2016-12-23 |
公开(公告)号: | CN108239785A | 公开(公告)日: | 2018-07-03 |
发明(设计)人: | 王雅楠;崔彬;刘卓;姜舰;韩秋雨;翟顺元 | 申请(专利权)人: | 有研半导体材料有限公司 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B29/06 |
代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人: | 刘秀青;熊国裕 |
地址: | 101300 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种直拉法生产单晶硅过程中对挂料的处理方法。该方法采用反射工具对挂料进行处理,包括以下步骤:(1)当发生挂料时将籽晶夹头部分拆下,换上反射工具。(2)将反射工具的反射面对准挂料位置,反射的热量集中到挂料位置,通过观察窗观察挂料位置的熔化情况,使晶转、埚转同步,使热量集中的部位相对固定;(3)待多晶块料掉落到熔体中,再进行隔离取出反射工具,换上籽晶夹头进行生产。本发明可针对不同的热场尺寸,在不增加太多功率的前提下,使挂料区域局部升温,避免了由于温度过高出现的石英坩埚软化、漏硅的情况。本发明的使用大大降低了烤料时间,降低了烤料漏硅的几率,缩短了运行时间,有很大的市场价值。 | ||
搜索关键词: | 挂料 反射 单晶硅 热量集中 直拉法 熔化 多晶块料 石英坩埚 温度过高 籽晶夹头 多功率 反射面 观察窗 籽晶夹 掉落 分拆 热场 熔体 埚转 软化 生产 对准 取出 隔离 观察 | ||
【主权项】:
1.一种直拉法生产单晶硅过程中对挂料的处理方法,采用反射工具对挂料进行处理,包括以下步骤:(1)当发生挂料时将籽晶夹头部分拆下,换上反射工具。(2)将反射工具的反射面对准挂料位置,反射的热量集中到挂料位置,通过观察窗观察挂料位置的熔化情况,使晶转、埚转同步,使热量集中的部位相对固定;(3)待多晶块料掉落到熔体中,再进行隔离取出反射工具,换上籽晶夹头进行生产。
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