[发明专利]一种低功率沟槽式肖特基整流器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201611215383.X | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN106783954B | 公开（公告）日： | 2019-09-20 |
| 发明（设计）人： | 李风浪 | 申请（专利权）人： | 杭州易正科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 张伟静 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市西*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件，特别涉及一种低功率沟槽式肖特基整流器件及其制造方法，本发明制造的低功率沟槽式肖特基整流器件，包括：N+单晶硅衬底，N‑外延层，沟槽，沟槽内的导电介质，栅绝缘层，阳极金属层，所述沟槽为斜沟槽，所述导电介质包括相间排列的第一导电部和第二导电部，所述第二导电部材料为与N‑外延层形成肖特基接触的惰性金属，所述栅绝缘层不连续，所述第一导电部通过栅绝缘层与N‑外延层隔离，所述第二导电部与N‑外延层接触，所述沟槽顶端与底端填充的导电介质属于第一导电部。本发明减小正向导通压降，优化沟槽式肖特基整流器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 沟槽 式肖特基 整流 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低功率沟槽式肖特基整流器件，包括：N+单晶硅衬底，形成于所述N+单晶硅衬底上的N‑外延层，形成于所述N‑外延层上表层中的沟槽，沟槽内的导电介质，形成于所述沟槽与所述导电介质之间的栅绝缘层，形成于所述N‑外延层上的阳极金属层，其特征在于，所述沟槽为斜沟槽，所述导电介质包括相间排列的第一导电部和第二导电部，所述第二导电部材料为与N‑外延层形成肖特基接触的惰性金属，所述栅绝缘层不连续，所述第一导电部通过栅绝缘层与N‑外延层隔离，所述第二导电部与N‑外延层接触，所述第一导电部个数不少于两个，所述第二导电部个数不少于一个，所述沟槽顶端与底端填充的导电介质属于第一导电部。
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