[发明专利]堆叠状的多结太阳能电池

摘要

堆叠状的多结太阳能电池，其包括至少三个子电池以及变质的缓冲区，所述三个子电池中的每一个具有发射极和基极，第一子电池包括由具有至少元素GaInP的化合物制成的第一层，第一层的能带隙大于1.75eV，第一层的晶格常数位于和之间的范围内，第二子电池包括由具有至少元素GaAs的化合物制成的第二层，第二层的能带隙位于1.35eV和1.70eV之间的范围内，第二层的晶格常数位于和之间的范围内，第三子电池包括由具有至少元素GaInAs的化合物制成的第三层，第三层的能带隙小于1.25eV，第三层的晶格常数大于第二子电池或者第三子电池中的至少一个由具有至少元素GaInAsP的化合物制成并且具有大于1％的磷含量和大于1％的铟含量，在两个子电池之间不构造有半导体键合。

主权项

1.一种堆叠状的多结太阳能电池(MS)，其包括：至少三个子电池(SC1，SC2，SC3)，其中，所述三个子电池(SC1，SC2，SC3)中的每一个具有发射极和基极，其中，所述第一子电池(SC1)包括由具有至少元素GaInP的化合物制成的第一层，并且所述第一层的能带隙大于1.75eV，并且所述第一层的晶格常数位于563.5pm和567.5pm之间的范围内，其中，所述第二子电池(SC2)包括由具有至少元素GaAs的化合物制成的第二层，并且所述第二层的能带隙位于1.35eV和1.70eV之间的范围内，并且所述第二层的晶格常数位于563.5pm和567.5pm之间的范围内，其中，所述第三子电池(SC3)包括由具有至少元素GaInAs的化合物制成的第三层，并且所述第三层的能带隙小于1.25eV，并且所述第三层的晶格常数大于570.0pm，其中，所述三个层的厚度分别大于100nm并且所述三个层构造为所述相应的三个子电池(SC1，SC2，SC3)的发射极的一部分和基极的一部分，和变质的缓冲区(MP1)，其中，所述缓冲区(MP1)构造在所述第二子电池(SC2)和所述第三子电池(SC3)之间，并且所述缓冲区(MP1)具有至少三个层的序列，并且所述缓冲区的层的晶格常数大于所述第二层的晶格常数，并且所述缓冲区的层的晶格常数在所述序列的情况下朝所述第三子电池的方向从层到层地增加，其中，在所述堆叠的分别两个子电池之间不构造有半导体键合且不布置有衬底，其特征在于，至少所述第二层或者所述第三层或者所述第二层和所述第三层由具有至少元素GaInAsP的化合物制成并且具有大于1％且小于35％的磷含量和大于1％的铟含量，其中，磷含量与V族原子的总含量有关，铟含量与III族原子的总含量有关。