[发明专利]一种光刻机的晶圆保护模块的位置调整方法及光刻机有效

专利信息
申请号: 201611217144.8 申请日: 2016-12-26
公开(公告)号: CN106773542B 公开(公告)日: 2019-02-19
发明(设计)人: 吴谦国 申请(专利权)人: 南通通富微电子有限公司
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20;G03F9/00
代理公司: 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人: 李庆波
地址: 226000 江苏省南通市苏通科技产*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种光刻机的晶圆保护模块的位置调整方法及光刻机,该方法包括将晶圆保护模块放置于基台的表面上;根据所述基台的表面上预设的基准标记检测并计算所述晶圆保护模块的实际位置与理论位置的偏移量;判断所述偏移量是否大于预设阈值;若大于所述预设阈值,则根据所述偏移量调整所述基台与所述晶圆保护模块的相对位置,以使调整后所述偏移量小于或等于所述预设阈值。通过上述方式,本发明能够提高晶圆保护模块位置的准确性。
搜索关键词: 一种 光刻 保护 模块 位置 调整 方法
【主权项】:
1.一种光刻机的晶圆保护模块的位置调整方法,其特征在于,所述方法包括:将晶圆保护模块放置于基台的表面上;根据所述基台的表面上预设的基准标记检测并计算所述晶圆保护模块的实际位置与理论位置的偏移量;判断所述偏移量是否大于预设阈值;其中,所述晶圆保护模块为保护环,对所述晶圆保护模块和所述基台进行图像采集,通过对采集的图像进行处理得到所述晶圆保护模块上的至少两个位置点与所述基准标记的实际相对位置,并将所述实际相对位置与理论相对位置进行比较,进而获得所述偏移量;所述理论相对位置为所述位置点与所述基准标记的理论相对位置,所述位置点包括位于所述保护环的内边缘或外边缘或有特征图形表面上的第一位置点和第二位置点,且所述第一位置点和所述第二位置点与所述保护环中心的连线之间的夹角大于或等于90度;若大于所述预设阈值,则根据所述偏移量调整所述基台与所述晶圆保护模块的相对位置,以使调整后所述偏移量小于或等于所述预设阈值。
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