[发明专利]氧化钒复合薄膜及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201611217685.0 申请日: 2016-12-26
公开(公告)号: CN106835019B 公开(公告)日: 2018-12-25
发明(设计)人: 林晓东;李成强 申请(专利权)人: 中科微机电技术(北京)有限公司
主分类号: C23C14/08 分类号: C23C14/08;C23C14/18;C23C14/35;C23C14/58
代理公司: 北京酷爱智慧知识产权代理有限公司 11514 代理人: 安娜
地址: 100085 北京市海*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种用于非制冷红外探测器的氧化钒复合薄膜及其制备方法,制备方法包括步骤:在基片的表面制备一层绝缘层;采用直流磁控溅射法,在绝缘层上制备一层氧化钒薄膜;将氧化钒薄膜在氮气气氛下进行退火处理,退火处理过程中对氧化钒薄膜施加偏置功率;采用直流磁控溅射法,在经退火处理后的氧化钒薄膜上制备一层纳米钛薄膜;将制备了纳米钛薄膜的复合物在氧气气氛下的真空环境中进行退火处理。制备得到的复合薄膜具有较高的电阻温度系数和红外吸收率,光学、电学综合性优良,用作非制冷红外探测器的热敏电阻材料或红外吸收材料时,能显著提高器件的综合性能,适用于高灵敏度的非制冷红外探测器,实用价值高。
搜索关键词: 氧化 复合 薄膜 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种氧化钒复合薄膜,其特征在于,包括氧化钒层和氧化钛层,所述氧化钛层位于所述氧化钒层的表面,所述氧化钛层中的钛元素的质量为所述复合薄膜的总质量的0.1~10%,所述复合薄膜的厚度为其中,所述氧化钒复合薄膜的制备方法,包括如下步骤:S101:在基片的表面制备一层绝缘层;S102:采用直流磁控溅射法,在所述绝缘层上制备一层氧化钒薄膜;S103:将S102中制备的氧化钒薄膜在氮气气氛下进行退火处理,所述退火处理过程中对所述氧化钒薄膜施加偏置功率;S104:采用直流磁控溅射法,在S103中经退火处理后的氧化钒薄膜上制备一层纳米钛薄膜,所述纳米钛薄膜由粒度为2~20nm的纳米钛颗粒组成;S105:将S104中制备了所述纳米钛薄膜的复合物在氧气气氛下的真空环境中进行退火处理。
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