[发明专利]MEMS释放长度检测结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201611218438.2 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN106744650B | 公开（公告）日： | 2018-09-04 |
| 发明（设计）人： | 赵成龙 | 申请（专利权）人： | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00;B81C99/00 |
| 代理公司： | 苏州谨和知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32295 | 代理人： | 叶栋 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS释放长度检测结构及其制备方法，该MEMS释放长度检测结构通过在牺牲层上设置上结构层，且该上结构层中设有贯穿上结构层的释放孔和至少贯穿由不透明材料所形成的部分的释放长度观察孔，从而通过该释放观察孔即可观察释放长度，为非破坏式观测，另外，也无需使用背光或者红外显微镜。通过本发明的MEMS释放长度检测结构的制备方法所形成的MEMS释放长度检测结构可以在上结构层中形成贯穿上结构层的释放孔和至少贯穿由不透明材料所形成的部分的释放长度观察孔，从而通过该释放长度观察孔即可观察释放长度，为非破坏式观测，另外，也无需使用背光或者红外显微镜。 | ||
| 搜索关键词： | 释放 长度检测 上结构层 长度观察 制备 背光 不透明材料 红外显微镜 贯穿 非破坏式 释放孔 观测 观察孔 牺牲层 观察 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS释放长度检测结构，其特征在于：包括下结构层、形成在所述下结构层上的牺牲层和形成在所述牺牲层上的上结构层，所述上结构层中设有释放孔和释放长度观察孔，所述释放孔贯穿上结构层；所述上结构层全部由不透明材料所形成，或者所述上结构层部分由不透明材料所形成；所述释放长度观察孔至少贯穿由不透明材料所形成的部分。
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