[发明专利]一种高压超结VDMOS在审
| 申请号： | 201611218670.6 | 申请日： | 2016-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN106847919A | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 杨尊松;王立新;肖超;宋李梅;陆江;罗小梦;罗家俊 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高压超结VDMOS，包括N+衬底；第一超结，位于N+衬底上面；第二超结，位于第一超结上面。本发明在现有技术中的半超结VDMOS的第一外延区内形成了第一超结，以便实现横向电场调控，大幅度增加第一外延区的参杂浓度，最终大幅度降低了器件的导通电阻。所以解决了现有技术中的半超结VDMOS存在导通电阻较大的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 vdmos | ||
【主权项】：
一种高压超结VDMOS，其特征在于，包括：N+衬底；第一超结，位于所述N+衬底上面；第二超结，位于所述第一超结上面。
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